Etude Des Phenomenes Electrothermiques

Les m moires PC-RAM int grent entre deux lectrodes un mat riau changement de phase, le chalcog nure Ge2Sb2Te5, qui peut basculer r versiblement entre un tat amorphe r sistif (OFF) et un tat cristallin conducteur (ON). Le but de la th se est d'' tudier les ph nom nes lectrothermiques intervenant lors de l''amorphisation et la cristallisation. Nous caract risons les diff rences thermiques et lectriques des deux phases, notamment par la mesure de leur conductivit thermique (m thode 3 ), et par le trac des caract ristiques lectriques I(V). Nous tudions galement en d tail les m canismes de la transition OFF ON, pour laquelle nous mettons en vidence la formation d''un filament amorphe conducteur instable. Nous pr sentons les r sultats des tests dynamiques effectu s sur nos cellules microniques et submicroniques. Enfin, nous analysons quelques mod lisations et simulations num riques, en montrant la difficult exp rimentale viter la fusion lors du processus de cristallisation.