Diodes Electroluminescentes Base de Nitrure D’ L Ments III

Ce travail de th se est ax autour de l’ tude des m canismes d'injection et de recombinaisons radiatives et non radiatives dans les DELs base de nitrures d’ l ments III. Les diff rentes briques constituant leur structure ont t tudi es. Apr?‘s un premier chapitre d'introduction rappelant quelques-unes des principales caract ristiques et propri t?’s physiques des alliages (Al, Ga, In)N, le deuxi me chapitre est consacr l’ tude des dopages de type n et de type p. Des tudes coupl es lectriques/optiques ont t r alis es afin d'identifier la profondeur nerg tique des niveaux associ?‘s aux impuret?’s dopantes et leur influence sur l'efficacit radiative des DELs. L’ tude des contacts m tal-SC fait l'objet du troisi me chapitre. Les m canismes de recombinaisons de l'alliage (Ga, In)N, zone active des DELs, sont trait?‘s dans le quatri me chapitre par le biais de spectrom trie optique UV-visible en fonction de diff rents param tres. Finalement, une tude des propri t?’s opto- lectroniques des DELs est r alis e dans la derni re partie. Des hypoth ses sur les m canismes d’ lectroluminescence sont report es avec, notamment, la mise en vidence d'un effet tunnel diagonal radiatif.