Le siliciure de nickel pur ou allie avec du platine est maintenant utilise comme contacts dans les technologies CMOS car il necessite un plus faible budget thermique, possede une plus faible resistivite, consomme moins de silicium, a une formation controlee par la diffusion et permet d'obtenir une phase peu resistive sur SiGe, contrairement a son predecesseur le siliciure de cobalt. Malgre ces avantages, un certains nombre de problemes restent lies a son integration dans des dimensions decananometriques. Au-dela d'une meilleure connaissance du comportement en temperature et des proprietes du siliciure de nickel en couches tres minces, l'objectif de cet ouvrage est d'ameliorer notre connaissance du NiSi, pour l'integrer sur les noeuds technologiques inferieurs au 65nm, et de caracteriser et d'eventuellement resoudre tous les defis relatifs a l'integration de ce nouveau materiau dans un environnement toujours plus dense. L'ensemble des resultats et des caracterisations realisees ont permis de proposer un scenario de formation de l'intrusion du siliciure dans le canal. Ce livre s'adresse principalement aux etudiants, professeurs et chercheurs en micro et nano-electronique.