Elaboration Des Alliages Gaasbi Sur Substrat GAAS Par Epvom

Ce travail est consacr

l’ tude de la croissance par Epitaxie en Phase Vapeur par pyrolyse d'OrganoM talliques
pression atmosph rique de l'alliage GaAs1-xBix. Ce mat riau, tr s attrayant pour les applications dans l'infrarouge (IR), peut avoir un gap qui peut atteindre l'IR lointain suivant la composition x en Bi. Cette tude est commenc e par l’ valuation de l'effet du Bi sur des surfaces GaAs ayant diff rentes orientations cristallines. Les caract risations ont mis en vidence la formation d’ lots de Bi de taille et de densit qui d pendent fortement des conditions de d p t. Une faible nergie d'adh sion du Bi
hautes temp ratures est marqu e. La deuxi me tape est consacr e
l'optimisation de la croissance de l'alliage GaAsBi. Ces tudes ont montr le succ s de l’ pitaxie de GaAsBi de bonne qualit cristalline jusqu’ une composition voisinant 4%. Ainsi, nous avons tabli les conditions optimales suivantes: une temp rature de croissance relativement basse de l'ordre de 420 C, un rapport V/III avoisinant 10 et un faible d bit de TMBi de l'ordre de 2 10-7 mole/min. Les couches obtenues sont thermiquement stables m me apr s un recuit
550 C pendant 15 min.