Elaboration de Couches de Tin Par D p t Chimique En Phase Gazeuse

Ce travail porte sur l’ laboration et la caract risation des films de nitrure de titane d pos s sur silicium par CVD
partir des pr curseurs: t trachlorure de titane (TiCl4), ammoniac (NH3) et hydrog ne (H2). Les films sont r alis s dans un r acteur basse pression
chauffage rapide (RTLPCVD). Deux proc d s de d p t ont t propos s: un monocycle et un multicycle, ainsi que deux groupes de param tres: le groupe 1 avec une haute temp rature de d p t (800 C) et une phase gazeuse riche en ammoniac et le groupe 2 avec une faible temp rature de d p t (500 C) et une phase gazeuse pauvre en ammoniac. L’ tude des coefficients de sursaturation et des nergies libres de surface a permis de calculer les rayons des germes critiques. Des hypoth ses sur les modes de croissance ont t
mises: la germination des couches labor es avec les param tres du groupe 1 se ferait selon le mode de germination 2D-3D alors que la germination des groupes labor es avec les param tres du groupe 2 se ferait selon le mode de croissance 3D. Les d p ts ont t caract ris s par diffraction X, RBS, XPS, mesure de r sistivit , spectrocolorim trie, rugosit de surface et comportement tribologique.