Photolumineszenz- Und Magnetooptische Untersuchungen Von Vielteilcheneffekten in Algaas/Ingaas/Gaas-Heterostrukturen

AlGaAs/InGaAs/GaAs-Heterostrukturen sind gegenwartig das am haufigsten benutzte System zur Herstellung leistungsfahiger Feldeffekttransistoren (HEMTs) fur Anwendungen in der analogen HF-Elektronik. Am Beispiel dieses Modellsystems werden eine Reihe physikalisch interessanter Vielteilcheneffekte untersucht insbesondere die Fermikantensingularitat. Ziel der hier vorgestellten Untersuchungen ist es, einen Beitrag zum besseren Verstandnis der Fermikantensingularitat, ihres Verhaltens in Abhangigkeit von der Anregungsdichte, der Temperatur sowie der Starke eines ausseren Magnetfeldes und zugleich der Bedingungen fur ihre Beobachtbarkeit in Emissionsspektren zu leisten. Die spektralen Charakteristika der untersuchten Vielteilcheneffekte in den optischen Spektren reagieren sehr empfindlich auf anderungen der Materialeigenschaften der aktiven Zone (wie z.B. den Grad der Kompositionsfehlordnung) und konnen daher zu deren Kontrolle in modernen Bauelementeschichtsystemen eingesetzt werden.