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Wahrend sich Halbleiterschalter seit Erfindung des Transistors anwendungsubergreifend zum Standard fur das Schalten elektrischer Signale etabliert haben, stellen neue Anwendungskonzepte immer hoehere Anforderungen, die sich nicht oder nur eingeschrankt mittels elektronischer Schalter bedienen lassen. Insbesondere im Bereich der Telekommunikationstechnik liegt das Augenmerk daher schon lange auf ohmschen MEMS-Schaltern, welche konzeptbedingt u. a. uberragende Sperr- sowie Durchlasseigenschaften ermoeglichen. Bedingt durch Defizite, vorwiegend in den Bereichen Zuverlassigkeit, Baugroesse sowie Schaltzeit, konnten MEMS-Schalter bis heute jedoch nicht ihr volles Potential ausspielen und sind lediglich in wenigen Nischenanwendungen zu finden. Im Rahmen dieser Dissertation wurden daher neuartige ohmsche MEMS-Schalter entwickelt, welche die vorherrschenden Probleme existierender Schalter in mehrerlei Hinsicht beheben. Die Grundlage bildet ein hocheffizientes Aktorkonzept, das durch einen kombinierten piezoelektrisch-elektrostatischen Antrieb sowie die gezielte Ausnutzung von mechanischen Versteifungseffekten selbst bei starker Miniaturisierung hervorragende Schaltereigenschaften ermoeglicht. So verfugen die lediglich 0,05 mm(2) bis 0,12 mm(2) grossen und vollstandig in siliziumbasierter Oberflachenmikromechanik realisierten Schalter je nach Design uber sehr geringe Durchgangswiderstande von 0,32 Ohm bis unter 0,12 Ohm. Daruber hinaus zeichnen sie sich im Sperrzustand durch hohe Kontaktabstande von 4 m bis 9 m aus und weisen niedrige Schaltzeiten von designabhangig 1,5 s bis 5,6 s auf. Ferner zeigen die Schalter selbst unter extremen Bedingungen wie dem lastbehafteten Schalten hoher DC-Signalleistungen eine hohe Zuverlassigkeit im Bereich mehrerer 1e7 bis 1e8 Zyklen. Insgesamt setzen sich die Schaltereigenschaften damit deutlich vom Stand der Technik ab und zeigen eine Gesamtleistungsfahigkeit, wie sie aktuell von keinem anderen MEMS-Schalter erreicht wird.
