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Studienarbeit aus dem Jahr 2007 im Fachbereich Elektrotechnik, Berufsakademie Schleswig-Holstein Kiel, Sprache: Deutsch, Abstract: Ziel der Semesterarbeit ist es, der Studiengruppe den Aufbau und die Funktionsweise eines Solar-Batterieladers naeher zu erlaeutern und an diesem qualitative und quantitative Messungen und deren Deutungen durchzufuehren. Halbleiter sind Festkoerper, welche aufgrund von beweglichen Ladungstraegern eine mehr oder weniger grosse Leitfaehigkeit haben. Die Leitfaehigkeit ist abhaengig vom Aufbau, der Gitterstruktur und der Temperatur des Materials. Beispiele fuer Halbleitermaterialen sind Silizium (Si), Germanium (Ge) und Galliumarsenid (GaAs). Bei Si und Ge handelt es sich um 4-wertige Atome, welche 4 Valenzlektronen aufweisen (IV. Gruppe). Bei einem idealen Si/Ge Kristall gibt es keine frei beweglichen Ladungstraeger, da saemmtliche Valenzelektronen an die Gitteratome gebunden sind. In diesem Zustand kann der Kristall auch als Isolator bezeichnet werden. 1 Da die elektrische Leitfaehigkeit von Halbleitern aber mit steigender Temperatur zunimmt, gehoeren sie zu den Heissleitern. Weiterhin laesst sich die Leitfaehigkeit durch gezieltes Einbringen von Fremdatomen (Dotieren) der III. Gruppe (Akzeptoren) oder V. Gruppe (Donatoren) beeinflussen. Der Halbleiter wird also entweder p-leitend oder n-leitend. Die Halbleitereigenschaften sind massgeblich durch die Sperrschicht an den pn-UEbergaengen gegeben.
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Studienarbeit aus dem Jahr 2007 im Fachbereich Elektrotechnik, Berufsakademie Schleswig-Holstein Kiel, Sprache: Deutsch, Abstract: Ziel der Semesterarbeit ist es, der Studiengruppe den Aufbau und die Funktionsweise eines Solar-Batterieladers naeher zu erlaeutern und an diesem qualitative und quantitative Messungen und deren Deutungen durchzufuehren. Halbleiter sind Festkoerper, welche aufgrund von beweglichen Ladungstraegern eine mehr oder weniger grosse Leitfaehigkeit haben. Die Leitfaehigkeit ist abhaengig vom Aufbau, der Gitterstruktur und der Temperatur des Materials. Beispiele fuer Halbleitermaterialen sind Silizium (Si), Germanium (Ge) und Galliumarsenid (GaAs). Bei Si und Ge handelt es sich um 4-wertige Atome, welche 4 Valenzlektronen aufweisen (IV. Gruppe). Bei einem idealen Si/Ge Kristall gibt es keine frei beweglichen Ladungstraeger, da saemmtliche Valenzelektronen an die Gitteratome gebunden sind. In diesem Zustand kann der Kristall auch als Isolator bezeichnet werden. 1 Da die elektrische Leitfaehigkeit von Halbleitern aber mit steigender Temperatur zunimmt, gehoeren sie zu den Heissleitern. Weiterhin laesst sich die Leitfaehigkeit durch gezieltes Einbringen von Fremdatomen (Dotieren) der III. Gruppe (Akzeptoren) oder V. Gruppe (Donatoren) beeinflussen. Der Halbleiter wird also entweder p-leitend oder n-leitend. Die Halbleitereigenschaften sind massgeblich durch die Sperrschicht an den pn-UEbergaengen gegeben.