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Die Transistortechnik ist eines jener Gebiete, auf dem in den letzten Jahren ganz erhebliche Fortschritte technischer und wirtschaftlicher Art gemacht werden konnten. An dieser Entwicklung hat die Transistormesstechnik, die sich mit den Verfahren zur Bestimmung der Kennwerte und Kenngroessen des Transistors be- schaftigt, in ganz entscheidendem Masse Anteil. Eine geschlossene Darstellung der vielfaltigen Messverfahren erscheint deshalb zum gegenwartigen Zeitpunkt als gerechtfertigt. Die Entstehung einer Transistormesstechnik hat verschiedene Ursachen: Der Transistor muss, seiner Funktionsweise entsprechend, durch mehr Kennwerte beschrieben werden als die in dieser Hinsicht wesentlich angenehmere Elektronen- roehre. Die Kennwerte hangen zudem von einer ganzen Reihe von Parametern wie Frequenz, Arbeitspunkt, Temperatur ab, die es dem Hersteller aus wirtschaftlichen Grunden versagen, auch nur annahernd ausreichendes Datenmaterial fur die vielen Anwendungsbereiche bereitzustellen. Auch die relativ leicht eintretende Gefahr der UEberlastung des Transistors zwingt den Hersteller, eine groessere Anzahl von Kenn- werten und Sicherheitsgrenzen anzugeben, die durchweg auf experimentellem Wege kontrolliert werden. Schliesslich veranlassten - vor allem in der ersten Entwicklungs- phase - die grossen, heute durch die Planartechnologie eingeengten Streuungen der Kenngroessen einen hohen messtechnischen Aufwand seitens des Herstellers, um dem Anwender einigermassen vertretbare Streugrenzen herausmessen zu koennen. Gegenstand der Transistormesstechnik sind nicht die grundsatzlichen schwach- stromtechnischen Messverfahren schlechthin, sondern ihre Anpassung und An- wendung auf den Transistor unter Beachtung seiner Besonderheiten. Die Fulle der bekannt gewordenen Verfahren versagte es von vornherein, uber das zum Ver- standnis grundsatzlich Notwendige hinauszugehen, und die vielen Schaltungs- auslegungen im Detail zu analysieren. Diese Kurzung durfte zugunsten einer uber- sichtlicheren Darstellung vertretbar sein.
