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Im vorliegenden Band 9 der Buchreihe Halbleiter-Elektronik werden aktive Mikrowellendioden behandelt. Diese Dioden koennen durch einen Zweipol dargestellt werden, dessen Realteil einen negativen differentiellen Hochfrequenz- wirkwiderstand aufweist. Damit werden diese Dioden in den Hauptanwendungen der Hochfrequenztechnik, namlich in der Nachrichtenubertragung, Funknaviga- tion sowie in der Funkmesstechnik vorwiegend in Oszillator- und Verstarkeranord- nungen eingesetzt. Das Buch behandelt vier verschiedene Diodentypen, die im Laufe der mehr als zwanzigjahrigen Entwicklungsgeschichte der aktiven Mikrowellendioden nunmehr fest in der Hochfrequenztechnik etabliert sind. In der Rangfolge ihrer praktischen Bedeutung sind dies die Lawinenlaufzeitdiode, das Elektronentransfer(Gunn-) Element, die Barittdiode und die Tunneldiode. (Im Buch folgt allerdings die Reihung der vier Kapitel nach anderen Gesichtspunkten). Bei der Beschreibung der Dioden wird den eigentlichen elektronischen Mechanismen, die zur Umwandlung von Gleichleistung in Hochfrequenzleistung fuhren, dem Einfluss der unvermeidlichen Bahnverluste und dem Hochfrequenz- rauschen besondere Aufmerksamkeit gewidmet. Auf die Darstellung der zugehoeri- gen Hochfrequenzschaltungen wird im Rahmen dieses Buches, so weit es zulassig ist, verzichtet. (Weiterfuhrende Bucher sind in der Einleitung angegeben). Im Sinne einer zweckmassigen Abgrenzung auf den Anwendungsbereich von Hochfrequenz- transistoren konzentriert sich die Behandlung der Mikrowellendioden auf Frequenzen oberhalb 1000 MHz bis hin in das Millimeterwellengebiet. Das Buch ist zum grossen Teil aus Unterlagen zu einer zweisemestrigen Vorlesung entstanden, die fur Studierende der Elektrotechnik an der Technischen Universitat Munchen gehalten wird. In diesem Buch sind auch Forschungsergebnisse aus dem Lehrstuhl fur Allgemeine Elektrotechnik und Angewandte Elektronik der Technischen Universitat Munchen mit aufgenommen.
